【产品分类】高压MOS管
【产品型号】NCE55H11
【产品品牌】新邦微
【FET类型】N沟道
【漏源电压(vdss)】55V
【栅极电荷(Qg)】125
【反向恢复时间流】37ns
【最大耗散功率】200(mW)
产品封装为TO-220
该产品常用于高压NPN型MOS管,高频开关电源,高速功率开关等。
规格手册:资料下载
NCE55H11参数:
联系方式:13823539691(微信同号)
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